爱微电力电子与苏州高邦半导体达成合作意向

     2023年4月14日下午，苏州高邦半导体科技有限公司项目研发经理胡国辉以及南京芯干线科技有限公司功率模块总监陈云、封装研发经理许彪一行莅临爱微电子就氮化镓GaN芯片设计封装与爱微进行了合作意向洽谈，公司总经理金英珉，销售总监付晨强就双方合作做出了深入探讨。

    在公司多媒体会议中心和万级净化车间，苏州高邦一行深入细致了解爱微半导体功能模块产品专业研发团队和具备有国际领先的进口生产设备以及车规级量产360万片/年的生产能力。通过实地考察和交流，苏州高邦半导体一行对爱微功率半导体/功率模块的设计研发生产技术工作等方面给予充分肯定和高度评价。

    氮化镓（GaN），是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于2.2eV，又被称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以采用氮化镓制作半导体材料，而得到氮化镓半导体器件。